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HBM3E

业界最快、容量最高的HBM，推动生成式人工智能创新

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加快人工智能创新速度

戴眼镜的男孩

生成的人工智能

生成式人工智能为新形式的创造力和表达打开了一个世界, 就像上面的图片, 采用大语言模型(LLM)进行训练和推理. 计算和内存资源的利用会影响部署时间和响应时间. Micron HBM3E提供了更高的内存容量，可以提高性能并减少CPU负载，从而在推理ChatGPT等llm时实现更快的训练和更灵敏的查询™.

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深度学习

深度学习

人工智能为商业、IT、工程、科学、医学等领域带来了新的可能性. 随着更大的人工智能模型被部署来加速深度学习, 维护计算和内存效率对于解决性能问题非常重要, 确保所有人受益的成本和权力. 美光HBM3E提高了内存性能，同时注重能源效率，提高了每瓦性能，从而缩短了培训GPT-4等llm的时间.

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高性能计算(HPC)

高性能计算

科学家们, 研究人员, 工程师们面临的挑战是发现气候建模的解决方案, 治疗癌症和可再生和可持续能源. 高性能计算(HPC)通过执行非常复杂的算法和使用大型数据集的高级模拟来加快发现时间. Micron HBM3E提供更高的内存容量，并通过减少跨多个节点分发数据的需求来提高性能, 加快创新步伐.


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美光的HBM3 Gen2

HBM3E专为人工智能和超级计算打造，工艺技术行业领先

美光通过HBM3E扩展了我们数据中心沙巴体育结算平台组合的行业领先性能. 提供更快的数据速率, 改善热响应, 与上一代相比，在相同的封装面积内，单片芯片密度提高了50%.

大于1.2TB/S内存带宽

HBM3E为AI计算核心提供内存带宽

拥有先进的CMOS创新和行业领先的1β工艺技术, Micron HBM3E提供更高的内存带宽，超过1.2TB/s.1

容量增加50%

HBM3E开启了生成式AI的世界

内存容量增加50%2 每8高24GB立方体，HBM3E使训练具有更高的精度和准确性.

大于2.性能/瓦特提高5倍

HBM3E为AI和HPC工作负载提供了更高的每瓦性能

美光设计了一种节能的数据路径，可以降低热阻抗，使其大于2.性能/瓦特提高5倍3 与上一代相比.

超过50%以上的查询/天

HBM3E开创了多模态、数万亿参数人工智能模型的训练

增加内存带宽，提高系统级性能, HBM3E减少了30%以上的训练时间4 and allows >50% more queries per day.5,6

Micron HBM3E:开启前所未有的计算可能性的基础

美光HBM3E是最快、容量最高的高带宽内存，可推动人工智能创新. 一个8高的24GB立方体，提供超过1.2TB/s带宽和卓越的电源效率. 美光是您在内存和存储创新方面值得信赖的合作伙伴. ​

查看hbm3e信息图
1 在制造测试环境下，基于引脚速度shmoo图的数据速率测试估计
2 相同堆叠高度的容量增加50%
3 基于工作负载用例的模拟结果的功率和性能估计

4 基于Micron内部模型的参考 ACM出版，与当前的运输平台(H100)相比
5 基于美光内部模型，参考伯恩斯坦的研究报告, 英伟达(NVIDIA):用自下而上的方法来评估ChatGPT的机会, 2月27日, 2023，与当前的运输平台(H100)相比
6 基于商用H100平台和线性外推的系统测量

特色资源

美光提供业界最快、容量最高的HBM3E，推动生成式人工智能创新

1.2tb /s带宽, 美光的8-high 24GB HBM3E采用先进的1β工艺节点，提供卓越的功率效率.

Read HBM3E press release >
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六五内幕与美光的小天使

Micron's Girish Cherussery, Sr. Director, 高性能存储器, 与来自Six Five的帕特里克·穆尔黑德和丹尼尔·纽曼一起讨论高带宽内存(HBM)和美光最新的HBM3E沙巴体育结算平台.

View video on HBM3E >
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介绍为人工智能创新打造的内存
我们正处于人工智能(AI)时代的黎明。, 人工智能有望成为我们日常生活的核心部分. 这是由计算和存储技术的进步推动的. 高带宽存储器(HBM)处于人工智能创新的前沿.
Read HBM3E 沙巴体育结算平台简短 >
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1β DRAM技术

美光正在出货业界首款采用下一代1-beta工艺技术制造的DRAM. 它代表了美光对R的持续投资所带来的最先进的创新&D、工艺技术进步. 美光的1-beta工艺技术允许开发性能更高的内存沙巴体育结算平台, 更大的容量, 更高的密度, 与前几代相比，相对功耗更低.

了解更多 >
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常见问题

HBM3E与hbm3gen2有何不同?
没有区别. 这只是一个名字的改变.
HBM3E的数据速率是多少?
Micron’s HBM3E delivers an industry leading pin speed of > 9.2Gbps，可支持HBM2第一代设备的向后兼容数据速率.
HBM3E的带宽是多少?
Micron’s HBM3E delivers an industry leading Bandwidth of >1.每个位置2tb /s. HBM3E has 1024 IO pins and Micron’s pin speed > 9.2Gbps achieves > 1.2TB/s​.
HBM3E的容量是多少?
美光业界领先的HBM3E通过8高的HBM3E提供每个位置24GB的容量, 美光计划在未来发布一款36GB的12高HBM3E设备.​ ​
HBM3E内存有多快?
Micron’s HBM3E delivers an industry leading Bandwidth of >1.每个位置2tb /s. HBM3E has 1024 IO pins and Micron’s pin speed > 9.2Gbps achieves > 1.2TB/s.​
HBM2和HBM3E有什么区别?​
HBM2提供8个独立的通道，运行在3点钟.每个引脚6Gbps，提供高达410GB/s的带宽. HBM2提供4GB、8GB和16GB的容量. HBM3E提供16个独立通道和32个伪通道. Micron’s HBM3E delivers pin speed > 9.2Gbps at an industry leading Bandwidth of >1.每个位置2tb /s. 美光的HBM3E提供24GB内存，使用8-high的堆栈, 并计划在未来使用12高堆栈的36GB.
什么是HBM3E规格?
请参阅我们的 沙巴体育结算平台简短.
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